光刻正负胶的选择与lift-off工艺
小弟最近开始接触光刻，自己做了几次，也了解了光刻的原理，根据光刻形成的梯形与倒梯形，我知道做lift-off时最好用负胶形成倒梯形，这样蒸镀的金属膜不会连成一片有利于溶剂渗进去溶解光刻胶。做lift-off听说反转胶AZ5214E比较好用，但是我们这边没有，只有SU8的负胶，我拿2005和2015分别做了两个片子，现在用丙酮泡着，但是去胶效果不明显，感觉也很容易把直接蒸镀在硅片上（也就是我想要的pattern）的金泡下来。而做pdms通道的时候，是不是建议用正胶，这样形成正梯形，后期揭pdms的时候不会刮伤通道。请教一下大家，去胶有没有更好的方法，以及小弟对正负胶的使用的理解有没有错误
贴图是我用SU8 2005做的一个片子，手艺不行
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az5214肯定没有问题，su8不好剥离吧
我想问下你是怎么抛光，抛光前后分别是怎么清洗干净的呢？现在在做这方面的实验 以前没怎么接触硅片
你这个犯了很严重的错误。SU8一定不能拿来做剥离，因为根本没办法去胶。
你可以找研材微纳，拿一本”如何用好光刻胶“的小册子，上面会教你用什么胶来做，也可以打电话给他们，让他们推荐你光刻胶和工艺，买小包装的胶。你这个用5214都嫌浪费。
你做金电极，浪费的SU8和金材料，还不如直接找研材微纳买个125ml小包装的光刻胶省钱呢，
忘了说了，找研材拿7133，专门剥离用的光刻胶。