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表征低深宽比结构问题，光栅结构周期500nm，深度大约60nm，间隔50nm左右。

作者 mootoo: 来源: 小木虫 500 10 举报帖子

EBL加刻蚀做出来的，基底是SIN。现在想要表征具体截面的尺寸，有没有什么好办法，不同参数的样品比较多，用FIB切截面好像可以做，但是太贵了。不知道切片机能不能切？对纳米级别的精度有没有损伤？有没有大佬指教一下。

还有一个想法是直接倾斜SEM样品台一定角度，露出一点侧面，表征侧面的线宽，除以sinN°（N=样品台倾斜角度）这样算出高度，这样可以实现么？求教

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精华评论

gxytju2008

FIB应该是最理想的，机械切片估计对这么小尺度损伤很大，扫描倾斜这个尺度精度估计不会太好，可以试试，要找很好的仪器了
mootoo

引用回帖:
2楼: Originally posted by gxytju2008 at 2019-09-29 16:42:52
FIB应该是最理想的，机械切片估计对这么小尺度损伤很大，扫描倾斜这个尺度精度估计不会太好，可以试试，要找很好的仪器了

扫描精度会有多差，测量的线能不能用，除以sin度数换算呢
jj503185037

可以看看白光干涉设备。
babyoflion

为什么不用AFM呢？如果要形貌的话可以试试硅片直接掰开，但是要选择好镜像和你结构方向问题
babyoflion

引用回帖:
6楼: Originally posted by mootoo at 2019-10-09 17:29:06
这么小的凹槽结构，不知道AFM能不能扫下去，扫到底部，是个问题，而且afm对侧面的也不好表征，侧壁倾斜形貌不知道好不好扫。
...

关键是你就算是做了截面，看看还差不多真的要量值的话你手动测量肯定又有误差了，而且是不是陡直是不是垂直等都有影响
，