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利用Si粉和CH4制备SiC靠谱吗

想在C-C材料表面制备SiC，看到文献很多都是用包埋法，需要多个工序。我现在准备利用等离子喷涂制备SiC涂层，但是害怕SiC粉末汽化喷不上，或者喷上后不致密（因为SiC难以烧结）。请问如果我在CH4气氛下用等离子喷涂喷Si粉通过反应是否可以制备SiC涂层，谢谢！返回小木虫查看更多

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solarzhao
科大小鱼儿

sic
科大小鱼儿

sic等离子喷涂不了
alchemx

CVD气相沉积比较靠谱。
sxll

感觉等离子喷涂过程碳和硅的反应时间比较短，应该会有碳化硅，但不会大部分都是，气相沉积应该是可以的，规模化生产的话，个人感觉还是高温直接反应比较靠谱，成本低，生产效率高。
XSM815498719

引用回帖:
6楼: Originally posted by sxll at 2019-09-27 10:47:24
感觉等离子喷涂过程碳和硅的反应时间比较短，应该会有碳化硅，但不会大部分都是，气相沉积应该是可以的，规模化生产的话，个人感觉还是高温直接反应比较靠谱，成本低，生产效率高。

反应等离子喷涂做TiN的比较多，TiN的纯度还挺高的，做SiC应该要难些，应该会有不少的Si没反应，请问这个可以通过一些后处理消除吗
，
sxll

消除应该可以，如果硅按计量比不富余，可以考虑高温反应消除，如果富余，可以考虑化学法，有一点需要考虑的是，用甲烷气，等离子喷涂能否正常工作，会不会对喷枪有损伤，一个喷枪国产的也万把块钱吧