自己顶一哈

求助大神

这个荷电校正建议是通过C-C键为284.8eV(部分机器284.6eV或285eV)进行校正，你这个数据目测C1s可分为三个峰，如果样品中不存在M-C（金属和碳）成键，将最低结合能的C1s峰作为污染碳或者样品碳中的C-C键做校正即可。如果有M-C键，取结合能次低的峰做校正。
从刻蚀结果来看，最低结合能处的C1s峰为污染碳的C1s峰，通过此峰校正即可。

引用回帖:

5楼: Originally posted by lq19930213 at 2019-06-17 16:32:10
十分感谢，还有个小问题，怎么能确定是否有M-C成键呢（或者说我要排除M-C成键）？
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非M-Xene样品或者石墨烯衍生材料一般都可以忽略这个。你这个应该是没有，从刻蚀前后C1s强度变化可以认定最低结合能的峰就是污染碳的C-C峰。看一下这个峰位置是多少，比如是283eV,所有谱图的结合能都加上1.8eV即完成校正
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