tem测试要求

参考文献：

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fig. 1. (a) schematic configuration of the ag/a-lsmo/pt memory cell and the measurement setup. (b) cross sectional tem image of the ag/a-lsmo/pt/ti/sio2 structure [1].
我们的样品：

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左图为示意图，有图为实物图。
我们希望像文献[1]中图1那样，能够看到pt/bto/sro/sro的横截面tem图像，特别是pt/bto的接触部位。
参考文献：
[1]liu d, wang n, wang g, et al. nonvolatile bipolar resistive switching in amorphous sr-doped lamno3 thin films deposited by radio frequency magnetron sputtering[j]. applied physics letters, 2013, 102(13): 134105. 返回小木虫查看更多