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在TADF等光电材料中,实验确定S1和T1能量的方法,以及三种能差的讨论!!!

作者 seantan521
来源: 小木虫 400 8 举报帖子
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如附图所示,目前绝大部分方法是通过低温77k下分别测量荧光和磷光,从而计算出s1和t1能量的。

首先实验方法常见的有两种,一种是取荧光和磷光波形,向短波测做切线,取切线和x轴的交点处的值,然后用1240除之得到能量(以下简称切线法,见得比较多),另一种简单粗暴的方法是直接以波峰处的值,然后用1240除之得到能量(以下简称波峰法),如图一所示。

其次单独看这个能差Δest,其实就分为三种,分别是垂直吸收能差,垂直发射能差和绝热能差。如图二所示。

我发现其实很多人这里多少都有些疑问。比如说切线法,波峰法得到的能差分别对应的是垂直吸收,垂直发射还是绝热能差?

考虑到三种能差的理论计算方法不同,大小也不一样,通常分析tadf时三种能差哪种用的更普遍或者更能说明问题一点?

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  • 精华评论
  • 诗与远方

    一般三线态为ICT态时选择切线法,三线态为LE态时选择峰的位置

  • seantan521

    引用回帖:
    2楼: Originally posted by 诗与远方 at 2018-12-28 06:53:30
    一般三线态为ICT态时选择切线法,三线态为LE态时选择峰的位置

    但是在很多情况下,S1态为CT态,而T1态为LE态,按照这样,应该S1取切线,而T1取峰值么?可是好像没见过这样操作的例子哎?

    我觉得切线法是不是应该更加类似于垂直吸收能差?因为PL发射峰的左侧切线经常和UV吸收峰的右侧切线交点接近,而切线法得到的那个值,理论上是发射能的最大值。

  • seantan521

    引用回帖:
    4楼: Originally posted by 诗与远方 at 2019-01-12 06:28:26
    分析TADF材料时,S1基本都是CT态,选择切线法,而对于T1态, CT和LE都常见,所以切线法和峰值都会用。之前看过相关文献,理解的也不是很清晰。你也是做TADF材料的吗?
    ...

    嗯,主要是做TADF的,偶尔也会涉及到RTP,TTA,HLCT

  • seantan521

    引用回帖:
    6楼: Originally posted by 诗与远方 at 2019-01-14 13:58:47
    想请教一下,我用TADF小分子做的非掺杂器件,EL谱比PL谱红移了十几nm,有可能是器件的电荷传输不平衡导致的吗?还是可能由于蒸镀后分子堆积更加紧密,造成了红移?谢谢
    ...

    给你看一段monkman的解释:“There are several reasons, mainly depending on the emitter type. For fluorescent emitters it can be dimmer formation, excimer formation (most likely) or you have oxidised centres which act as charge traps and preferentially emit (in the green). For phosphors it can again be dimmer formation or emission from states that have scrambled their ligands. You may see electroplex states talked about in the literature, here you need an excited state with a large dipole moment i.e. charge transfer states, which is perturbed by the bias E-field and the surrounding dielectric of highly dipolar excited states.”

  • seantan521

    引用回帖:
    6楼: Originally posted by 诗与远方 at 2019-01-14 13:58:47
    想请教一下,我用TADF小分子做的非掺杂器件,EL谱比PL谱红移了十几nm,有可能是器件的电荷传输不平衡导致的吗?还是可能由于蒸镀后分子堆积更加紧密,造成了红移?谢谢
    ...

    问您个问题,这个EL要怎么测啊?我是搞合成,这个不太懂。近期有一批很久远的材料,可能需要重新测一下EL,但是瓶子里已经快没多少了,而且放了两年也不能保证纯度,用真空蒸发法能排除少量杂质的干扰么?还有,测EL的各项发光参数,快不快,麻烦不麻烦,我大概有六个样品?

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