关于SiC/SiO2 XPS测试中Si2p峰的解析，要不要考虑自旋轨道耦合分裂缝？
大家好！
我想请教一下XPS分峰拟合的问题，谢谢！主要是审稿人问Si 2p拟合峰的问题：
审稿人原话“The fitted features for Si 2p are not appropriate, even if one forgets that the spin-orbit coupling has to be included and that the resulting peaks for each type of surface species would then not be symmetric. ”
我的问题是：
1.关于自旋耦合导致的Si 2p分裂为Si 2p1/2和2p3/2，审稿人要考虑自旋耦合因素，但是测出来的SiO2还是SiC都是单峰，没有分裂，怎么考虑自旋耦合因素呢？而且我看大部分人的论文好像也没有拟合“Si 2p1/2和2p3/2”（没有涉及到双重分裂峰，就一个2p，没有2p1/2和2p3/2,）？所有有些困惑！
2.后面一句还说“并且每种类型的表面物质的最终峰值将不是对称的。”审稿人的意思是指Si 2p拟合后的各个成分峰是不对称的？！这句话也很困惑，在发表的论文中的拟合峰貌似是对称的。所以也比较困惑！
希望高手能给解答，谢谢了！！！
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京公网安备 11010802022153号
最近也在被这个问题困扰，Si 2p到底按不按裂分峰处理啊，查手册，Si 2p 1/2并没有Si C O相关的物质啊。
Si的轨道分裂一般是Δ=0.63eV。审稿人说的没错，如果是一个峰肯定是不对称的，如果是分开的两个峰才能使对称的，3/2和1/2本来就不在一个位置，测试出现一个耦合峰肯定不对称啊。所以你分峰的软件很重要的，分峰不是随意的，里面有规则必须遵守，一般氮化硅的不超过102，核电校准没？
https://xpssimplified.com/elements/silicon.php这个里面是XPS各元素数据库，应该对你很有用。谢谢你给的金币。
“For your questions, I did note that it is not necessary to use spin-orbit coupling for Si 2p in non-crystalline (inhomogeneous) materials. The clear spin-orbit split is observed in single crystalline silicon, for example. In that case, if the instrumental resolution is not high enough, an asymmetric peak fitting should be used. The papers that cover silicon oxide never use this (although it is nice to comment on why in a paper) because pf inhomogeneous broadening.”问了审稿人，他给解释的，请参考。
太谢谢你了，看来是大神啊
1.直接问了审稿人，他帮助的解释：非晶材料中的Si 2p确实不用考虑自旋耦合，这也就是为什么好多文献都没有考虑的原因。
2.关于“耦合峰不对称”的意思，你解释的非常对，给了我提醒。存在1/2和3/2，测出来的耦合峰肯定是不对称的。但是，我们的材料是非晶SiO2，所以有宽化，这种耦合不对称很不明显，所有看起来就像是对称的。
3.Si-C键结合能在100.5eV，确实没超过102eV。
4.核电校准过了。
最后，还是非常感谢你的答复，让我豁然开朗
，
怎么查到 Hf-Si键的结合能？？求助