光刻胶曝光，显影后发现图形变化较大，请大神指教，附图
图分别是最初的掩膜设计图和显影后的图形，用的正胶S-1805，胶厚570nm，显影后通道两侧宽了15微米左右，改变曝光时间也没能改善，求指教，万分感谢！
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你是想在那个波浪形的图形上套刻菱形是吗？结果菱形跑到波浪外面去了？
，
没压紧吧
没压紧？