氧化亚硅在大于600度（保护气）时就会发生缓慢的歧化反应，产生的二氧化硅和硅单质是无定形态的，XRD不会有明显的特征峰，希望有帮助！PS：你用的氧化亚硅是市售还是自制，另外加热的目的是什么？

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2楼: Originally posted by _星子_ at 2018-09-18 15:14:22
氧化亚硅在大于600度（保护气）时就会发生缓慢的歧化反应，产生的二氧化硅和硅单质是无定形态的，XRD不会有明显的特征峰，希望有帮助！PS：你用的氧化亚硅是市售还是自制，另外加热的目的是什么？

氧化亚硅是自制，我是将氧化亚硅作为锂离子电池负极材料，将氧化亚硅高温歧化生成纳米硅晶畴和氧化硅，是为了提高其首次库伦效率。

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3楼: Originally posted by 张娟呵呵 at 2018-09-19 10:11:31
氧化亚硅是自制，我是将氧化亚硅作为锂离子电池负极材料，将氧化亚硅高温歧化生成纳米硅晶畴和氧化硅，是为了提高其首次库伦效率。...

我也在尝试合成氧化亚硅，但还没成功，因为可参考的工艺太少！
通过亚硅分解提高首效，思路是可取的，但需要精确控制歧化程度，另外分解产生的硅和氧化硅的分布也很重要，歧化的理想状态应该是氧化硅完全包覆硅，但实际情况是二者是共存在颗粒表面的，所以，可能需要把表面生成的硅去掉，整个结构才会稳定
，

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5楼: Originally posted by ldd307 at 2018-10-14 18:20:40
为什么氧化亚硅歧化后可以提高首效呢？硅和氧的比例并没有改变啊。
...

因为SiO和Si的首效区别大

第一氧化亚硅750℃高温4小时，温度是不够的的，你试试950℃时间3-4小时就会发生歧化反应了；第二如果发生歧化反应后XRD在22°、28°、47°左右的样子，有细小差异会有特征峰的。说明发生歧化了。