目前在半导体材料上蒸镀上了一层二氧化硅，然后希望把二氧化硅刻蚀成特定的形状，用来配合转移到上面的二维材料。
现在用的方式是旋涂PR1-1000A光刻胶，然后光刻出特定的形状，再用稀释的氢氟酸进行刻蚀。但是得到的结果不太理想，被光刻胶挡住的地方有的时候很完整有的时候就也被刻蚀出小洞。另外加工尺寸是mm级别的。

感觉是跟半导体工艺相关的问题，这方面比较缺乏，求助大家有没有什么好的解决方法。谢谢大家了 返回小木虫查看更多