给抛光处理金属基片(除去氧化膜)镀上陶瓷膜后,退火来获得晶体膜,,然后退火后膜和基片之间多了一层氧化膜,已在真空管式炉中试过,,,依旧会出现这种现象,,求助如何消除 返回小木虫查看更多
彻底清洗真空室。真空退火时用钛粉一起烧,用钛吸收氧。
将空气排干净,抽真空或者通气氛,应该不会出现这种情况
隔离氧气
可能是膜与基片之间以及基片本身附着有少量空气(氧气)没有除干净,在退火时与金属反应---处理的方法:将金属尽量抛光平整,增加表面平整度,加热前多次抽真空,必要时预热60-100度抽真空 也有可能是管式炉内空气(氧气)没有排干净----处理方法如楼上所说,加钛粉,多抽真空等
还是管式炉里边有氧导致的,作为管式炉的生产厂家我们通常建议客户的做法是: 1、关闭进气端的法兰阀门 ,从另一侧法兰抽真空到极限,然后关闭抽气法兰的阀门(不关真空泵) 2、缓慢打开另一端法兰的进气阀,开始通入保护气体,直到压力表显示为微正压(比大气压略大),然后关闭进气阀; 3、重复步骤1和2,如此往复3次。我们就认为管内的空气被稀释排除干净。 4、最后一次进气后保证管内始终处于微正压(进气阀门略大于出气阀门),如此即使有泄露的地方,也只能往外漏气,空气是进不来的。 真空管式炉的密封方式远远达不到高真空,所以真空烧结的效果远不如我讲的这种通气氛保护的效果好。当然确实要真空烧结的话,我们之前做过半导体的退火,真空管内通微量氢气,作为还原气体,退火后几乎没有氧化,效果提升非常大。当然氢气有一定危险性,慎重选择。 如果还有不清楚的地方可以加我qq:470419162,
彻底清洗真空室。真空退火时用钛粉一起烧,用钛吸收氧。
将空气排干净,抽真空或者通气氛,应该不会出现这种情况
隔离氧气
可能是膜与基片之间以及基片本身附着有少量空气(氧气)没有除干净,在退火时与金属反应---处理的方法:将金属尽量抛光平整,增加表面平整度,加热前多次抽真空,必要时预热60-100度抽真空
也有可能是管式炉内空气(氧气)没有排干净----处理方法如楼上所说,加钛粉,多抽真空等
还是管式炉里边有氧导致的,作为管式炉的生产厂家我们通常建议客户的做法是:
1、关闭进气端的法兰阀门 ,从另一侧法兰抽真空到极限,然后关闭抽气法兰的阀门(不关真空泵)
2、缓慢打开另一端法兰的进气阀,开始通入保护气体,直到压力表显示为微正压(比大气压略大),然后关闭进气阀;
3、重复步骤1和2,如此往复3次。我们就认为管内的空气被稀释排除干净。
4、最后一次进气后保证管内始终处于微正压(进气阀门略大于出气阀门),如此即使有泄露的地方,也只能往外漏气,空气是进不来的。
真空管式炉的密封方式远远达不到高真空,所以真空烧结的效果远不如我讲的这种通气氛保护的效果好。当然确实要真空烧结的话,我们之前做过半导体的退火,真空管内通微量氢气,作为还原气体,退火后几乎没有氧化,效果提升非常大。当然氢气有一定危险性,慎重选择。
如果还有不清楚的地方可以加我qq:470419162,