看了一些介电玻璃陶瓷的资料,里面测试了玻璃陶瓷的击穿强度。有个问题需要请教下虫友: 玻璃陶瓷发生介电击穿时的位置在哪?是不是随机的? 发生电介质击穿的原因是什么? 是不是玻璃陶瓷中的缺陷引起的? 如果是的话都是哪些缺陷引起的?为什么它们会引发击穿? 希望知道的虫友不吝赐教,谢谢了!! 返回小木虫查看更多
裂纹、气泡和杂质等都是造成介电击穿原因、位置。
有师兄不问,还要在小木虫求助。 首先,材料电击穿主要是发生材料的缺陷处或者边缘,对于不同的样品它的击穿位置确实随机的,因为你不知道材料内部缺陷种类和位置。 其次,介电击穿原因是材料受到高场强作用,内部电荷定向分布最终在缺陷处或样品表面聚集,即极化。当场强足够大,电荷富集过多而会发热温度过高使材料发生热击穿,或者由于场强多大是绝缘体到点发生电击穿等等。 最后,介电击穿不是缺陷造成的,而是外加电场的原因,缺陷主要是加速击穿,降低击穿强度,一般情况下,影响击穿的缺陷只要是样品内部气孔,微裂纹,介质内部界面。 这两天在写大论文正好看到,有问题微我,
裂纹、气泡和杂质等都是造成介电击穿原因、位置。
有师兄不问,还要在小木虫求助。
首先,材料电击穿主要是发生材料的缺陷处或者边缘,对于不同的样品它的击穿位置确实随机的,因为你不知道材料内部缺陷种类和位置。
其次,介电击穿原因是材料受到高场强作用,内部电荷定向分布最终在缺陷处或样品表面聚集,即极化。当场强足够大,电荷富集过多而会发热温度过高使材料发生热击穿,或者由于场强多大是绝缘体到点发生电击穿等等。
最后,介电击穿不是缺陷造成的,而是外加电场的原因,缺陷主要是加速击穿,降低击穿强度,一般情况下,影响击穿的缺陷只要是样品内部气孔,微裂纹,介质内部界面。
这两天在写大论文正好看到,有问题微我,