光谱图看一下，估计你弄错了

感觉数据怎么有点不对劲

它这个图可能是漫反射谱。

你得看你的样品是直接带隙还是间接带隙，不同的跃迁类型计算带隙时的纵坐标都是不一样的
αhν=B(hν-Eg)m         
其中α为摩尔吸收系数,h为普朗克常数，ν为入射光子频率，B为比例常数，Eg为半导体材料的光学带隙，m的值与半导体材料以及跃迁类型相关：
（1）        当m=1/2时，对应直接带隙半导体允许的偶极跃迁；
（2）        当m=3/2时，对应直接带隙半导体禁戒的偶极跃迁；
（3）        当m=2时，对应间接带隙半导体允许的跃迁；
（4）        当m=3时，对应间接带隙半导体禁戒的跃迁。
也就是你纵坐标的不见得是二分之一次方，需要根据样品实际情况定那个参数值。