关于掠入射XRD探测深度的问题求助
小弟最近在做等离子体处理后的高分子材料表面物理化学性质的分析,想利用掠入射XRD(GIXRD or GID)探测其表面的晶形结构,并利用改变掠入射角度来探测材料深度。
我最近查询了一些文献,掠入射XRD探测深度可以计算。然而计算时需要利用材料的原子序数和原子量。聚合物(元素为CHO)的原子序数和原子量似乎无法计算,这是我目前遇到的问题,欢迎有相关经验或者感兴趣的朋友讨论。不胜感激
若有朋友可以做掠入射XRD,欢迎联系!!!
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