【求助】求教专业高人：关于光催化的基础知识
材料专业的刚刚入门光催化，基础知识浅薄，特来此求教各位高人
1.下图中半导体的能带宽度和能带边缘电位示意图中能带边缘的确定方法，也就是说，图中第一条虚线既零点应该是H的电极电位0，另一条虚线应该是O的电极电位1.229 eV，那么VBM和CBM的位置是以什么为标准画出来的呢？请以ZnO为例予以说明，不胜感激！
2.另外半导体中掺杂的时候，如何确定掺杂离子对光催化活性是有利的还是有害的呢？也就是说怎样判断掺杂离子是抑制还是增强了简单复合呢？如果采用的是计算机模拟的方法，怎样才能说明这一点呢，谢谢！
[ Last edited by bhcsmay on 2010-3-10 at 09:36 ]
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京公网安备 11010802022153号
自己顶一下，强烈呼唤高人的帮助啊！！！
doping can ehance the catalytic performance of ZnO, but it depends on the dopant amount. I tried ZnO using Nitrogen doping, it works; and for TiO2, no enhancement observed.
VB and CB, should be versus NHE (normal hydrogen electrode), and at some PH。
谢谢，不过感觉这个说法对我这个初学者来说不是很明确，依赖于杂质数量是肯定的，但是我想问的是你用什么方法判断出来杂质提高了光催化性能呢？不是实验中怎样做，而是指在计算机模拟当中，还有第一个问题应该在催化领域是比较基础的知识吧，我找了很多资料都是作为基础知识给出的，但是对于我这个外行来说还是看不懂，VB和CB相对于H和O的电极电位的大小是如何确定的，能否解答一下呢？
[ Last edited by bhcsmay on 2010-3-10 at 15:29 ]
，
再顶一下，继续求助，请大家不吝赐教！谢谢！
可以查些基本文献
稍微知道点，有个平带电势：相对于某一参比电极，半导体能带不弯曲时的电势。
貌似可以通过这个来确定与标准电极之间的位置关系。