大家好！
我知道Vasp/Castep/abinit/PWscf/Siesta等软件都是使用DFT理论来进行计算的。
引用Martin书中的内容

引用回帖:

“The fundamental basis for understanding materials and phenomena ultimately rests upon understanding electronic structure”
                                                      ——《Electronic Structure》Richard M.Martin

此外，

引用回帖:

根据H-K定理，电荷密度可以唯一决定电子结构
P. Hohenberg and W. Kohn, “Inhomogeneous electron gas”, Phys. Rev 136:B864-871, 1964

引用回帖:

进一步的，只要我们得到晶体基态和激发态的电荷密度，就可以得到晶体的常见性质，包括频率依赖的透光率等。

我们利用Vasp进行常规计算：
    收敛性测试->几何优化->静态自洽得到电荷密度->利用crysden等软件作图
得到的是基态的电荷密度。
那么，如何利用vasp得到激发态的能量和电荷密度？
据我所知，vasp的mannual中6.66节为

引用回帖:

Frequency dependent GW calculations

而GW准粒子近似就是用来求激发态的一种方法；此外，vasp也可以求体系的光学性质。因此，vasp是可以计算体系的激发态性质的
现在，我希望知道以下几个问题：
[1]计算激发态有哪些理论？例如GW近似、TDDFT近似，这两个我知道。能简单介绍一下它们的工作原理么？有哪些软件(请附版本)分别支持这些算法？例如，PWscf/abinit/vasp/castep/MS/gaussion
[2]能否根据6.66节利用vasp计算体系的激发态性质？如果可以，要如何设置INCAR文件？
[3]假设我得到了激发态的电荷密度，可以用哪些软件作图？分别如何操作？
当然，最重要的
[4]请给出H原子/H_2^+离子/H_2分子/Si的基态/激发态的能量/电荷密度
      a INCAR/POSCAR/POTCAR/KPOINTS文件
      b OUTCAR文件
      c 电荷密度.jpg
谢谢！
如果可以用其它软件计算也可以！
key words:vasp 激发态 电荷密度

[ Last edited by uuv2010 on 2012-5-19 at 11:07 ] 返回小木虫查看更多