关于IR drop的来源及分析
最近做固态超级电容，在恒流充放电测试过程中产生了比较大的压降，查了一些文献还是不明白这个压降是怎么产生的以及怎么才能消除。
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器件电阻较大，内势过高。
降低内势一方面更换更导电的集流体或者将材料做薄。
我做的也是，同问，谢谢！
嗯，我试试将材料做薄，看看效果
不知道楼主问题解决了没，除了楼主提出的问题我很想问一下IR drop的具体数值该怎么确定
看文献上是充电的最大值减去放电过程中的第一个点的数值，我也刚接触电化学，啥也不懂，不知道说的对不对，如果不对请多包涵
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