在烧结前的混粉压坯阶段掺加进去不行吗，干嘛非要烧成后再浸泡呢？烧成体断裂方式是晶间断裂的话，在SEM下不就很清楚了嘛。

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2楼: Originally posted by peterflyer at 2017-02-12 09:30:15
在烧结前的混粉压坯阶段掺加进去不行吗，干嘛非要烧成后再浸泡呢？烧成体断裂方式是晶间断裂的话，在SEM下不就很清楚了嘛。

感谢应助！
1.烧成后再浸泡是想让掺杂离子通过陶瓷的微孔渗透进入，分布在孔壁上，然后再烧结，使得离子在晶体表面发生离子取代。对于混粉压坯时掺加，接下来我们试一试，非常感谢。
2. 如果在晶界上形成第二相，SEM观察形貌是可以看出来的，如果是晶界上的离子取代，SEM是观测不到的，之前考虑过使用EDS mapping进行扫描，观察掺杂离子的分布情况，但是EDS的作用深度约为3μm，然而晶粒尺寸在1μm左右，表征结果不可
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3楼: Originally posted by cailiaoxyb at 2017-02-14 14:52:42
感谢应助！
1.烧成后再浸泡是想让掺杂离子通过陶瓷的微孔渗透进入，分布在孔壁上，然后再烧结，使得离子在晶体表面发生离子取代。对于混粉压坯时掺加，接下来我们试一试，非常感谢。
2. 如果在晶界上形成第二相， ...

俄歇电子探针不能解决这个问题吗？貌似它是非常精密的测量表面成份的手段。

上单色的高分辨xrd 如果掺杂进去的话 峰位也会偏移的

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4楼: Originally posted by peterflyer at 2017-02-14 15:20:23
俄歇电子探针不能解决这个问题吗？貌似它是非常精密的测量表面成份的手段。...

谢谢，正在学习俄歇电子探针的使用。

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5楼: Originally posted by 代做xrd测试 at 2017-02-22 08:41:15
上单色的高分辨xrd 如果掺杂进去的话 峰位也会偏移的

高分辨XRD可以观察到衍射峰的细节，但是XRD反应的是材料整体所具备的信息，峰位有偏移说明材料整体实现离子掺杂，无法说明离子在晶界实现掺杂。感谢回答！

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3楼: Originally posted by cailiaoxyb at 2017-02-14 14:52:42
感谢应助！
1.烧成后再浸泡是想让掺杂离子通过陶瓷的微孔渗透进入，分布在孔壁上，然后再烧结，使得离子在晶体表面发生离子取代。对于混粉压坯时掺加，接下来我们试一试，非常感谢。
2. 如果在晶界上形成第二相， ...

TEM可以根据材料的元素做Mapping，成图跟EEDS的差不多 不过陶瓷不太好做样，我之前用纳米粉末可以实现