加工了某一单晶晶片2片（同一化合物，未掺杂和Ce掺杂两种）进行透过率测试，在测Ce掺杂样品时，单晶样品透过率在315 nm降为0后，在200多nm又出现两处透过，如附件图所示。对测试结果表示怀疑，因此反复进行测试，发现结果都一样，但仪器测量其他样品都不存在此类现象，工作正常。
转而从样品本身角度考虑，发现Ce掺杂样品在300、245 nm左右其本质是2个吸收峰（300 nm光源能同时有效激发Ce掺杂和未掺杂样品发光而245 nm 不能），而且此吸收峰在未掺杂样品的透过光谱上也找得到，这些吸收应来自于晶体基质本身而非Ce。Ce掺杂使晶体透过边红移，但明明在315 nm透过截至了，在200多nm又出现透过，这是何道理。就个人文献阅读来看，完全没碰到过有类似报道。
抱着困惑的态度，因此又测量了吸收谱，见附图。发现Ce掺杂样品在300和245 nm左右的吸收峰不是尖峰，而是近似于平台的峰形，这也是个人未在文献报道中件见过的。
因此，想请教各位老师，这种透过吸收谱出现异常的情况，该如何解释。又或者是数据测试本身有问题，对于该类样品，仪器需要进行特殊校正后才能测试？


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