这个是增强型器件吗？

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2楼: Originally posted by ajjcoo at 2015-12-21 23:35:49
这个是增强型器件吗？

很简单的结构
上面是顶电极：Ti/Al/Ni/Au (20 nm/100 nm/50 nm/50 nm)
下面是HfO2 deposited on AlGaN/GaN/Si samples
最下面是背电极：Ni/Au (50 nm/100 nm)

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2楼: Originally posted by ajjcoo at 2015-12-21 23:35:49
这个是增强型器件吗？

大神知道这是什么原因吗？急求啊

只是感觉哈，氧化铝的厚度改变了漏电流，说明阻止电流穿透起到了作用，也可以从禁带宽度解释，还有你这个器件本来就是长开器件，只能用负电压关断吧，氧化层越厚，阈值电压越大啊

还有你想做high k介质栅吧？感觉你的b图做的不成功

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6楼: Originally posted by ajjcoo at 2015-12-22 11:34:22
还有你想做high k介质栅吧？感觉你的b图做的不成功

这是文献中的图片，我现在不清楚，为什么漏电流最小的时候，电压不在0V?
类似的文献：漏电流最小的时候，有的电压在0V；有的不在。而且文献都没说这是什么原因造成的，所以我感觉这是正常的现象。
我是学材料的，对这不是很清楚，请问这是阈值电压吗
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6楼: Originally posted by ajjcoo at 2015-12-22 11:34:22
还有你想做high k介质栅吧？感觉你的b图做的不成功

这是文献中的图片，我现在不清楚，为什么漏电流最小的时候，电压不在0V?
类似的文献：漏电流最小的时候，有的电压在0V；有的不在。而且文献都没说这是什么原因造成的，所以我感觉这是正常的现象。
我是学材料的，对这不是很清楚，请问这是阈值电压吗？