VASP石墨烯能带计算,能带出现带隙
Sample Text各位大侠你们好!我用VASP画出的单层石墨烯能带图出现了带隙,与理论不符,是怎么回事呀?要怎么设置才可以解决这个问题???
(我静态的kpoints取的是 9 9 1)
能带计算的输入文件INCAR如下:
SYSTEM = graphene
ISTART = 0 ! start from scratch (WAVECAR)
ICHARG = 11 ! rho read from CHGCAR.
ENCUT = 500
PREC = Accurate
NPAR = 1
ISMEAR = 0 ! Tetrahedron method with Bloechel corrections.
# SIGMA = 0.2 ! in eV
另附附件。
望各位高手给予帮助!!!!!!
band图.jpg
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小白路过,看样子成了半导体,坐等大虾出现解答
提高精度再计算一下,不行就找人给你一个已经建好的模型
结构什么优化,参数优化确定都没问题吗?提高电子步的精度,增加K点,还有就是感觉你给出的信息不够全啊。。
对于六角格子,基矢一般取两个基矢成120度角。比如:
a 0 0
-0.5*a sqrt(3.0)*0.5*a 0
0 0 c
对石墨烯的原子坐标:
C 0.000 0.0000 0.0
C 0.3333333333 0.66666666667 0.0
你能带计算时的k点坐标,特别时K和M点的也可能不对;你试试下面的:
G 0.0000000000 0.0000000000 0.0000000000
K 0.6666666667 -0.3333333333 0.0000000000
M 0.5000000000 0.0000000000 0.0000000000
G 0.0000000000 0.0000000000 0.0000000000,
能带图不对,有两个方面可能的原因(看过你的INCAR文件,基本没有问题),一方面可能的原因就是你的poscar中结果建模错误,楼主自己再检查下,不多解释;另外有可能是你的k点路径设置的问题,在某些路径下确实能看到禁带,建议楼主看一下文献上k点路径,然后自己根据这个路径来设置,得出的结果还可以跟文献上的图形对比。
我坐标都换了两三次了,但结果都差不多。k点和m点对应不上我也不知道什么问题,但我取的k点就是你给的坐标呀?