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关于用zsimpwin 做出的 EIS 阻抗图谱，请帮助解析一下R（QR）拟合后的结果？

作者 bioconnor: 来源: 小木虫 350 7 举报帖子

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-------  ------  ---------    --------          -------       -----------
1    0       R       1.393E5       139.3       13.59
2    0       Q    8.567E-5    8.565E-5       8.202
3    0       n          0.8       0.3724       3.857
4    0       R       3.668E5       3.625E5       283.6
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请问： 1234 中的R Q n R 分别代表什么意思啊？
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今日热帖

精华评论

bioconnor

请问哪位高手可以帮助一下，解释一下表中那几个字母代表的什么意思，以及这些值的好坏怎么个评价法？谢谢！
bioconnor

再次请教！
zc736

得根据体系的具体情况确定，一般第一个R为溶液电阻 Q为弥散效应的双电层电容 n为Q的参数，第二个R为极化电阻
bioconnor

引用回帖:
Originally posted by zc736 at 2009-3-24 19:26:
得根据体系的具体情况确定，一般第一个R为溶液电阻 Q为弥散效应的双电层电容 n为Q的参数，第二个R为极化电阻

怎么来评价这些值的好坏？
bioconnor

再问? 请各位大侠多多指教！
l-xinhui

你的EIS图谱应该属于最简单的那种，一个容抗弧，通常弧越大耐蚀性越好，即你拟合的第二个R值越大越耐蚀。不过你拟合结果误差有些大，一般要小于10%，如果误差太大可能是由于你选择的等效电路不对。
bioconnor

引用回帖:
Originally posted by l-xinhui at 2009-3-25 16:13:
你的EIS图谱应该属于最简单的那种，一个容抗弧，通常弧越大耐蚀性越好，即你拟合的第二个R值越大越耐蚀。不过你拟合结果误差有些大，一般要小于10%，如果误差太大可能是由于你选择的等效电路不对。

那我想问一下表中的start 和 end 的数据有的一样，有的不一样，这个怎么解释？
我这是在金电极表面组装了双层膜后做的EIS，等效电路用的是RQR

另外一个问题，Q 与 C 什么区别啊？

先谢谢各位大侠
，