空穴主要起氧化作用，电子起还原作用，空穴是强氧化剂，它的相对电位比高锰酸钾还负。

《设计新型可见光响应的半导体光催化剂》
我也做光催化方面，你可以参考下上面这篇文献，至于机理我还不是很明白。
相互学习！

可以参考下这篇：
贺飞等，纳米TiO2光催化剂负载技术研究[J]环境污染治理技术与设备，2001

文献上给的机理一般的是：光催化剂在相应的光响应区产生电子和空穴对，这个电子空穴对是可以发生复合的，光催化剂如何提高其效率的一个方面就是如何减少电子空穴复合，这个电子和空穴的概念有点象原电池反应过程，正极反应和负级反应是分开的。

通过电子和空穴向半导体表面不断迁移，使得光诱发电子和空穴向吸附的有机物或无机物种转移。在表面上，半导体能够提供电子以还原一个电子受体，而光生空穴则能迁移到表面和供给电子的物种结合，从而使该物种氧化。对于电子和空穴来说，电荷迁移的速率和概率，取决于各个导带和价带边的位置以及吸附物种的氧化还原电位。热力学容许光催化氧化反应能够发生的条件是：受体电势比半导体导带电势低，供体电势要比半导体价带电势高。与电荷向吸附物种迁移进行竞争的是电子和空穴的复合过程。这个过程一般都是在半导体颗粒内部和表面进行，且是一个放热过程，